特許
J-GLOBAL ID：200903081230866584
薄い絶縁膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326083
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜の膜厚を薄くした場合でも絶縁膜の膜厚制御が可能であり、しかも下地中の不純物が絶縁膜中に侵入するのを抑制できる信頼性の高い優れた絶縁膜の成形方法を提供する。【構成】 この発明の薄い絶縁膜の形成方法によれば、まず、炉内を高真空に排気した後(Vac1の期間)、窒素含有ガスと窒素非含有酸化性ガスを炉内に混入する。その後、窒素含有ガスを第1分圧比に設定して(OX 1の期間)、第1段階の絶縁膜部分を下地上に成膜し、続いて、所定の期間(Vac2の期間)、炉内を真空排気する。更に、窒素含有ガスを第1段階分圧比より高い第2段階分圧比に設定(Ox 2の期間)して、第2段階の絶縁膜部分を第1段階で形成された絶縁膜部分上に成膜する。第3段階以降は、分圧比を前段階の分圧比より高く設定し、かつ、各成膜間に炉内を真空排気する所定の期間(Vac3の期間)を設けて第3段階以降の絶縁膜を順次成膜する。
請求項（抜粋）：
加熱炉内に窒素非含有酸化性ガスと窒素含有ガスとを用いて所定の加熱温度を加えることにより下地上に絶縁膜を形成するに当たり、前記窒素含有ガスの分圧比を一定期間毎に変えて前記絶縁膜を段階的に成膜することを特徴とする薄い絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 29/784
