特許
J-GLOBAL ID:200903081232141510
シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-505349
公開番号(公開出願番号):特表平10-503021
出願日: 1995年07月11日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】本発明は、シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラムに関する。この保護ダイヤフラムによって、シリコンチップとその電気的な接続構造とを環境の有害な影響に対してシールドすることができる。この保護ダイヤフラムはその外周領域にエンボス加工部を有している。このエンボス加工部により、温度応力および圧縮応力を補償することができ、しかも保護ダイヤフラムの慣性に影響を与えることができる。
請求項(抜粋):
シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラムであって、該保護ダイヤフラムが、圧力を検出するシリコンチップ(2)の上方に所定の間隔を置いて配置されていて、シリコンチップ(2)を取り囲むカバー(7)に結合されている形式のものにおいて、 保護ダイヤフラム(8)が、弱通気性かつ非透水性の材料から製造されており、保護ダイヤフラム(8)とカバー(7)とシリコンチップ(2)とにより、閉じられた中空室(6)が形成されており、該中空室が空気を充填されていることを特徴とする、シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラム。
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