特許

J-GLOBAL ID：200903081232708137

超電導限流素子

発明者： 久保田 宏 ,  工藤 由紀 ,  山崎 六月 ,  芳野 久士
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204845
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 超電導限流素子において、超電導薄膜を作製する基板の面積を大きくすることなく、限流素子容量の増大を図る。また、クエンチ時の過電流の一部を分流させる導電性導膜の利用効率を高め、限流素子容量の増大を図る。【解決手段】 第1の基板1上に形成された超電導薄膜3と、第1の基板1とは異なる第2の基板2上に形成された導電性薄膜4bとを具備し、過電流により超電導薄膜3がクエンチした際に導電性薄膜4bに過電流の一部が分流する構造を有する超電導限流素子である。あるいは、基板上に作製された超電導薄膜および導電性薄膜と、超電導薄膜と前記導電性薄膜とを電気的に接続するブリッジ部とを具備し、過電流により前記超電導薄膜がクエンチした際にブリッジ部を通して過電流の一部が導電性薄膜に分流する構造を有する超電導限流素子である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された超電導薄膜および導電性薄膜を具備し、過電流により前記超電導薄膜がクエンチした際に前記導電性薄膜に過電流の一部が分流する構造を有する超電導限流素子において、前記基板は前記超電導薄膜が形成された第1の基板と前記導電性薄膜が形成された第2の基板とを有することを特徴とする超電導限流素子。

IPC (3件)：

H01L 39/16 ,  H02H 9/02 ZAA ,  H02H 9/02

FI (3件)：

H01L 39/16 ,  H02H 9/02 ZAA A ,  H02H 9/02 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化物超電導膜を用いた限流導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046873   出願人：三菱電機株式会社