高耐圧半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065350
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321878
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】耐圧の確保、オン抵抗の低減化および横方向寸法の微細化が容易な横形高耐圧ダイオードを提供する。【解決手段】n型ドリフト層4の底部にSIPOS膜3を設け、かつp型アノード層5とn型カソード層10とで挟まれた領域のn型ドリフト層4の表面にp型リサーフ層7を設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半絶縁性の高抵抗膜と、前記高抵抗膜上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の表面に前記第2の半導体層と離れて形成され、前記第1の半導体層の不純物濃度より高い不純物濃度を有する第1導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層と前記第3の半導体層とで挟まれた領域の前記第1の半導体層の表面に形成され、前記第2の半導体層より低い不純物濃度を有する第2導電型のリサーフ層と、を具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 , H01L 29/06 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/06 , H01L 29/78 301 X

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