半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136310
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330357
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ベース基板と半導体ペレット間の隙間領域に樹脂が充填される半導体装置の信頼性を高める技術を提供する。【構成】ベース基板1と、このベース基板1のペレット塔載面上にバンプ電極3を介在して塔載された半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4が充填される半導体装置の製造方法において、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に充填された樹脂4が硬化する前に樹脂4に振動を与える。樹脂4に与える振動は、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4の充填が完了した後に行う。また、樹脂4に与える振動は、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4を充填しながら行う。また、樹脂4に与える振動はベース基板1を加熱しながら行う。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、このベース基板のペレット塔載面上にバンプ電極を介在して塔載された半導体ペレットとの間の隙間領域に樹脂が充填される半導体装置の製造方法において、前記ベース基板と半導体ペレットとの間の隙間領域に充填された樹脂が硬化する前に、前記樹脂に振動を与えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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