特許

J-GLOBAL ID：200903081238264214

電子写真感光体及びその製法

発明者： 池田 昭彦 ,  川上 哲哉 ,  下野 陽一郎
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247731
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075412
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】帯電能力を高めるとともに、光感度を改善し、高いコントラスト電位となった電子写真感光体を提供する。更に成膜速度を高めて上記特性を改善した電子写真感光体の製法を提供する。【構成】 導電性基板4の上に50〜80μmの厚みのa-Si系光導電層6と、その光導電層6を構成するシリコンのダングリングボンド量に比べてダングリングボンド量を30〜80%にまで減少させた0.1〜10μmの厚みのa-Si系高光感度層7とを順次積層した電子写真感光体。並びに導電性基板4の上にグロー放電分解法により50〜80μmの厚みのa-Si系光導電層6を形成し、次いでその光導電層6の上に光導電層6の成膜速度に比べて低い成膜速度により成膜して光導電層を構成するシリコンのダングリングボンド量に比べて30〜80%にまでダングリングボンド量を減少させた0.1〜10μmの厚みのa-Si系高光感度層7を積層した電子写真感光体の製法。

請求項（抜粋）：

導電性基板の上に50〜80μmの厚みのアモルファスシリコン系光導電層と、該光導電層を構成するシリコンのダングリングボンド量に対して30〜80%のダングリングボンド量を有する厚さ0.1〜10μmのアモルファスシリコン系高光感度層とを順次積層したことを特徴とする電子写真感光体。

IPC (3件)：

G03G 5/08 312 ,  G03G 5/08 316 ,  G03G 5/08 360