半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169827
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電界効果トランジスタとこれをコントロールする制御素子とを同一基板上に有してなる大電流駆動用LSIおよびその製造方法において、オン抵抗の改善ならびに小型化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、N+ 型基板10上の一部にP型高濃度領域11を形成するとともに、このP型高濃度領域11を含む上記N+ 基板10上にN- 型エピタキシャル領域12を形成する。このN- 型エピタキシャル領域12の、上記P型高濃度領域11上を除く部分に、トレンチ構造の縦型電界効果トランジスタ20を形成する。また、このトランジスタ20のゲート電極25と同時に、上記トランジスタ20を制御する制御素子を作り込むための領域12a,12bを、上記N-型エピタキシャル領域12より分離するトレンチ分離領域60を形成する構成となっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板上の一部に形成された第2導電型の高濃度領域と、この第2導電型の高濃度領域を含む、前記第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度エピタキシャル領域と、この第1導電型の低濃度エピタキシャル領域の、前記第2導電型の高濃度領域上を除く部分に形成された第2導電型の低濃度ベース領域と、この第2導電型の低濃度ベース領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域と、この第1導電型の高濃度ソース領域およびこの直下の前記第2導電型の低濃度ベース領域を貫いて、前記第1導電型の低濃度エピタキシャル領域に達するように形成されたトレンチ構造の電極部と、前記第2導電型の高濃度領域上の、前記第1導電型の低濃度エピタキシャル領域の表面よりその直下の前記第2導電型の高濃度領域に達するように形成され、前記第1導電型の低濃度エピタキシャル領域を分離するトレンチ構造の分離部とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/76 , H01L 21/761 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/76 J , H01L 27/06 321 B , H01L 29/78 321 R , H01L 29/78 321 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-239868
特開平4-258174
特開平4-251983

前のページに戻る