特許

J-GLOBAL ID：200903081239162385

ZnO系トランジスタ

発明者： 中原 健
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-063924
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224356
出願日： 2008年03月13日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】高性能、高品質のチャ領域を構成することができるZnO系トランジスタを提供する。【解決手段】MgZZnO基板1上に、MgXZnO層2、MgYZnO層3が積層されている。MgXZnO層2とMgYZnO層3の界面で2次元電子ガスが発生する。4はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、MgYZnO層3に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極4上にはゲート電極5が、ドナードープ部3a上には各々ソース電極6、ドレイン電極7が形成されている。このように、トランジスタのチャネル領域をMgZnO層で形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にZnO系半導体層が少なくとも1層積層されたZnO系トランジスタであって、 ZnO系半導体層のうち、チャネル領域を構成するのはMgXZnO(0<X<1)層であることを特徴とするZnO系トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/22

FI (5件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/22

Fターム (49件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GM10 ,  5F102GN01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR15 ,  5F102GS01 ,  5F102GT10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F110AA01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ15 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23