特許

J-GLOBAL ID：200903081245023052

半導体装置

発明者： 千島 健治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021605
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】ヒューズ配線を切断する時の熱によって平坦化膜である有機系SOG膜よりも上層の膜にクラックや剥離等が発生する範囲を限定して、品質を高める。【構成】不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒューズ配線であるポリサイド膜14の上層に平坦化膜として有機系SOG膜23が用いられており、ポリサイド膜14を切断するための開口27がこのポリサイド膜14上に設けられているが、Al膜32が開口27を取り囲んでおり、Al膜32上には有機系SOG膜23が存在していない。このため、レーザ光でポリサイド膜14を切断する時の500°C以上の熱によって有機系SOG膜23が溶融したり蒸発したりしても、これらの溶融や蒸発が発生する範囲がAl膜32による枠内に限定され、上層のSiN膜26等にクラックや剥離等が発生する範囲もこの枠内に限定される。

請求項（抜粋）：

不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒューズ配線の上層に平坦化膜として有機系SOG膜が用いられており、前記ヒューズ配線を切断するための開口がこのヒューズ配線上に設けられている半導体装置において、凸状部が前記開口を取り囲んでおり、前記凸状部上には前記有機系SOG膜が存在していない半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04