特許

J-GLOBAL ID：200903081245636283

導体配線の形成方法

発明者： 下戸 直典 ,  松井 孝二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137204
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335718
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 導体配線の形成において、配線基板の面積,材質の制約をなくし、かつ形成条件が容易で工程を大幅に削減する。【構成】 絶縁体基板11上に導電性有機膜12を形成したのち、この有機膜12上に電解、あるいは無電解めっきで金属めっき膜13を形成する。この形成工程によれば、常温常圧下での形成が可能であり、基板面積,材質に制約を受けることはない。形成条件の設定は容易となり、工程を大幅に削減することができる。

請求項（抜粋）：

導電性有機膜形成工程と、金属膜形成工程とを有し、絶縁体基板上にパターン化された導体配線を形成する方法であって、導電性有機膜形成工程は、絶縁体基板上に導電性有機膜を設ける工程であり、金属膜形成工程は、電解めっき又は無電解めっき処理を用いて導電性有機膜上に金属めっき膜を形成する工程であり、めっき膜形成後、パターン化処理が施され、導体配線は、導電性有機膜上のパターン化された金属めっき膜であることを特徴とする導体配線の形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/06 ,  C23C 18/54 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-247586
  
• 特開昭63-260195
  
• 特開昭63-033895
  
• 特開昭62-269392