半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149999
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】スループットの低下を招くことなく、酸化膜の形成を抑制することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置100は、ウェーハの表面に薄膜を形成するための反応室101を有する。この反応室101の下部には、この反応室101を大気中に開放することなく、この反応室101に対してウェーハ201を取り入れたり、反応室101からウェーハ201を取り出したりするためのロードロック室105が設けられている。このロードロック室105の壁105aには、水分を吸収するための乾燥体109が取り付けられている。

請求項（抜粋）：

ウェーハに対して所定の処理を施すための処理室と、この処理室を大気中に開放することなく、この処理室に対して前記ウェーハを取り入れたり、この処理室から前記ウェーハを取り出したりするためのロードロック室と、このロードロック室の水分を除去するための水分除去手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/22 511 Q , H01L 21/205 , H01L 21/31 E

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