特許
J-GLOBAL ID：200903081261777970
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326894
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】チップ面積が小さく、かつオン損失の少ない半導体装置を提供する。【解決手段】第2導電型の半導体領域(ベースコンタクト領域1016)と第1導電型の高濃度半導体領域(ドレインコンタクト領域4)との間の電流経路となる第1導電型の半導体領域(耐圧層1003)に、絶縁膜3で第1導電型の半導体領域1003と分離された導電領域(埋め込み電極5)を設けることにより、第1導電型の半導体領域を局所的に縦方向、横方向に狭めた狭いドレイン領域を形成し、ドレイン電界を導電領域へ終端させる構成。ドレイン電界がソース側ヘ到達しないようにすることにより、ベース領域近傍の耐圧層に高電圧がかからないようにしてドレイン引きだし領域とベース領域間の距離を小さくできるので、チップ面積を小さくできる。またソース近傍の耐圧層の不純物濃度を高濃度(低抵抗)に、耐圧層の厚みを薄くできるため、オン損失を少なくできる。
請求項（抜粋）：
導電性基板と該導電性基板上に形成された埋め込み絶縁膜と該埋め込み絶縁膜上に形成された第1導電型の半導体領域を持つ基板の一部に、所定の間隔を隔てて第2導電型の半導体領域と第1導電型の高濃度半導体領域とが形成され、前記第1導電型の半導体領域における前記第2導電型の半導体領域と前記第1導電型の高濃度半導体領域との間の所定部分に絶縁膜に囲まれた導電領域が形成され、前記第1導電型の高濃度半導体領域の反対側にも同様の絶縁膜に囲まれた導電領域が形成されて、前記第1導電型の高濃度半導体領域が二つの前記絶縁膜に囲まれた導電領域に挾まれた形状を有し、前記第1導電型の高濃度半導体領域の下において、前記第2導電型の半導体領域と前記第1導電型の高濃度半導体領域との間の経路となる前記第1導電型の半導体領域の幅が制限されていることを特徴とする半導体装置。
FI (5件)：
H01L 29/78 652 G
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 653 D
, H01L 29/78 655 Z
