特許
J-GLOBAL ID：200903081264071777
放熱部品および該放熱部品を備えた半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-160210
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013843
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、半導体レーザーに用いる放熱部品の放熱特性を改善することである。【構成】 半導体レーザーは動作時の発熱を放熱するための放熱部品を備える。放熱部品は、ステムの上面に気相合成法により合成された多結晶ダイヤモンド層を形成している。半導体レーザー素子は気相合成ダイヤモンド層の表面にろう付け接合される。
請求項（抜粋）：
半導体素子を載置する載置面を有するステムと、前記ステムの前記載置面の表面を覆う気相合成多結晶ダイヤモンド層とを備えた、放熱部品。
IPC (3件)：
H01S 3/043
, H01L 23/373
, H01S 3/18
H01S 3/04 S
, H01L 23/36 M
