特許
J-GLOBAL ID：200903081264331230
集光反射器に薄膜層を変形させることによって薄膜層の厚さを測定する装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129704
公開番号（公開出願番号）：特開平6-042923
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、SOS半導体ウエハ等の薄膜の厚さを全面に亘って迅速に測定する方法および装置を得ることを目的とする。【構成】 集光反射器に被測定材料の層を変形する真空チャック等の手段70と、単色性光りが材料層の厚さに対応する特徴を有して変形した材料層の前面と後面から反射されるように白色光源10からの光を狭帯域フィルタ17によって単色光にして変形した材料層の前部表面を照射する手段と、反射した単色光を受けて前記特徴を検出するCCDカメラ31等の手段と、既知の厚さに対応する1組の基準特徴と受けた反射した単色光の検出された特徴を比較し、材料層の厚さに対応する出力を生成する手段31,36とを具備していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
前部および後部表面を有し、放射線がそれを透過することが可能な特性を有する材料の層の厚さを測定する装置において、集光反射器に前記材料の層を変形する手段と、単色性放射線が前記材料の層の厚さに対応する特徴を有する材料の前記変形した層の前記前部および後部表面から反射されるように単色性放射線によって材料の前記変形した層の前記前部表面を照射する手段と、前記反射した単色性放射線を受けて前記特徴を検出する手段と、既知の厚さに対応する1組の基準特徴と前記受けた反射した単色性放射線の前記検出された特徴を比較し、前記材料層の厚さに対応する出力を生成する手段とを具備していることを特徴とする材料層の厚さ測定装置。
IPC (3件)：
G01B 11/06
, G01B 15/02
, H01L 21/66
