特許
J-GLOBAL ID：200903081268749476
BiCMOS型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034872
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232351
出願日： 1993年01月30日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 ポリシリコン等の導電体により形成された抵抗を有する半導体装置について、RIE等所望の方法で、膜厚の薄い高抵抗のポリシリコン(導電体)抵抗のコンタクトを高信頼性で得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 バイポーラトランジスタIとMOSトランジスタIIと導電体膜11′により形成された抵抗IIIからなり、バイポーラトランジスタのエミッタ形成のための不純物源及びエミッタ取り出し電極をなしている任意の導電体膜と同層の導電体によって形成されている抵抗の電極取り出し領域に、MOSトランジスタのゲートをなしている導電体膜と同層の導電体膜が存在するBiCMOS型半導体装置及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
バイポーラトランジスタとMOSトランジスタと任意の導電体膜により形成された抵抗からなるBiCMOS型半導体装置において、上記バイポーラトランジスタのエミッタ形成のための不純物源及びエミッタ取り出し電極をなしている上記任意の導電体膜と同層の導電体によって形成されている上記抵抗の電極取り出し領域に、上記MOSトランジスタのゲートをなしている任意の導電体膜と同層の導電体膜が存在することを特徴とするBiCMOS型半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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