特許
J-GLOBAL ID：200903081272710959
発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308230
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162036
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高輝度発光ダイオードを提供する。【構成】 AlGaInP4元混晶系ダブルヘテロ構造の上に、活性層のエネルギーギャップ以上のエネルギーギャップを有するAlGaAs層電流拡散層及びAlGaInPエッチングストップ層12を設ける。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にAlGaInP系の材料で作製したダブルヘテロ構造の発光部を有した発光ダイオードにおいて、ダブルヘテロ構造部上に活性層のエネルギーギャップ以上のエネルギーギャップを有するAlGaAs層およびAlGaInP層を順次具備していることを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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