特許

J-GLOBAL ID：200903081283212454

磁気感応デバイス及びその製造方法

発明者： 森 正樹
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187746
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018068
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 部品点数を削減でき、全体厚みが薄く、小型化できる磁気感応デバイスを得るにある。【構成】 デバイス基板1の表面に磁力線を検出する磁気抵抗素子3及び同磁気抵抗素子3の出力信号を処理する信号処理回路4を搭載する磁気感応デバイスにおいて、磁気抵抗素子用のグランドパターン8、電源パターン9、出力部パターン10を処理回路導体パターン5と共に形成し、これらのグランドパターン8、電源パターン9、出力部パターン10に跨がった状態の厚膜磁気抵抗体層13,14を積層して前記磁気抵抗素子3とした磁気感応デバイス。

請求項（抜粋）：

デバイス基板の表面に磁力線を検出する磁気抵抗素子及び同磁気抵抗素子の出力信号を処理する信号処理回路を搭載する磁気感応デバイスにおいて、磁気抵抗素子用のグランドパターン、電源パターン、出力部パターンを処理回路導体パターンと共に形成し、これらのグランドパターン、電源パターン、出力部パターンに跨がった状態の厚膜磁気抵抗体層を積層して前記磁気抵抗素子としたことを特徴とする磁気感応デバイス。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01B 7/00 ,  G01R 33/09 ,  H01C 10/00 ,  H05K 1/16

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G01B 7/00 J ,  H01C 10/00 M ,  H05K 1/16 A ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-152663
  
• 特開昭59-152663