特許

J-GLOBAL ID：200903081284020931

不揮発性半導体メモリの自動消去方法

発明者： 谷 国雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028191
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 自動消去の処理時間を短縮することが可能な不揮発性半導体メモリの自動消去方法を得る。【解決手段】 ブロックメモリアレイ4が複数のメモリブロック41〜45に分割された不揮発性半導体メモリに対して自動消去処理を行う場合に、消去前書き込みの処理を複数のメモリブロックに並列に行い、また自動消去処理に用いる消去パルス幅の設定を可変にして、最終的に使用したパルス幅をメモリブロック45に保持し、また前回使用したパルス幅で消去処理を開始して、消去処理終了時に消去パルス幅が前回使用したものよりも大きな値となった場合に、その値をメモリブロック45に更新保持するようにした。

請求項（抜粋）：

不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを形成した不揮発性半導体メモリにあって、前記各メモリブロックのメモリセルアレイ内のデータを消去する不揮発性半導体メモリの自動消去方法において、前記ブロックメモリアレイの1つのメモリブロックのメモリセルアレイのデータのみを消去する自動ブロック消去の処理を行う時には、当該データの自動ブロック消去が処理されるメモリブロックのメモリセルアレイに対して同一データを書き込む消去前書き込みの処理を行い、前記ブロックメモリアレイの全てのメモリブロックのメモリセルアレイのデータを消去する自動一括消去の処理を行う時には、前記各メモリブロックの全てのメモリセルアレイに対して並列に同一データを書き込む消去前書き込みの処理を行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリの自動消去方法。

FI (2件)：

G11C 17/00 612 C ,  G11C 17/00 612 F

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05