特許

J-GLOBAL ID：200903081285396544

窒化ガリウム結晶基板の製造方法

発明者： 柴田 真佐知 ,  大島 祐一 ,  江利 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-062546
公開番号（公開出願番号）：特開2004-269313
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】窒化ガリウム結晶基板作成時のクラックの発生による歩留まり低下を防ぐ。【解決手段】単結晶サファイア基板、サファイア基板上に単結晶窒化ガリウム膜を成長させた基板または単結晶半導体基板から選ばれるいずれかの出発基板上に金属膜または金属窒化膜を堆積させる工程と、前記金属膜または前記金属窒化膜上に窒化ガリウム膜を堆積させる工程と、前記窒化ガリウム膜を堆積させた基板にマイクロ波を照射して前記金属膜または前記金属窒化膜を選択的に加熱し、前記窒化ガリウム膜を堆積させた基板から前記出発基板を剥離して自立した窒化ガリウム基板を得る工程、とを有する窒化ガリウム結晶基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶サファイア基板、サファイア基板上に単結晶窒化ガリウム膜を成長させた基板または単結晶半導体基板から選ばれるいずれかの出発基板上に金属膜または金属窒化膜を堆積させる工程と、前記金属膜または前記金属窒化膜上に窒化ガリウムを堆積させる工程と、前記窒化ガリウムを堆積させた基板にマイクロ波を照射して前記金属膜または前記金属窒化膜を選択的に加熱し、前記窒化ガリウムを堆積させた基板から前記出発基板を分離または剥離して自立した窒化ガリウム基板を得る工程、とを有することを特徴とする窒化ガリウム結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FH05 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045HA18