特許
J-GLOBAL ID：200903081286923637
多結晶半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061072
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256152
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアニールで多結晶半導体膜を製造する場合に、非晶質又は多結晶の半導体膜表面に数μm周期の熱密度分布を実現し、その熱密度分布により界面における残留核を数μm周期で制御し、数μmオーダーの大結晶粒からなる高特性の多結晶半導体膜を製造することである。【解決手段】 2つのレーザー光を前記半導体膜表面の所定位置に所定の入射角度で照射して干渉させることにより定在波を形成し、前記所定位置に該定在波と同周期の熱密度分布を発生させる。
請求項（抜粋）：
予め与えられた非晶質半導体膜又は第1の多結晶半導体膜を一旦融解し、その後再び結晶化することにより結晶粒度の異なる第2の多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体膜の製造方法において、2つのレーザー光を、前記非晶質半導体膜又は第1の多結晶半導体膜表面の所定位置に定在波が形成するような入射角度で照射し、前記所定位置に該定在波と同周期の熱密度分布を発生させ前記融解を行うことを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
