特許
J-GLOBAL ID：200903081289753554
静電容量式センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 久義 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038878
公開番号（公開出願番号）：特開平8-233854
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】固定基板と可動基板との対向方向の外力を検出し得る静電容量式センサの温度特性を改善する。【構成】固定基板1と該固定基板に間隔をおいて対向配置された可動基板2とを備え、固定基板表面の電極6と可動基板表面の電極10とによって、両基板1、2の対向方向に外力が付与されたときに容量変化を生じるZ軸外力検出用コンデンサ11が形成され、このZ軸外力検出用コンデンサ11と基準コンデンサとの容量差に基いて、両基板1、2の対向方向に付与される外力を検出するものとなされた静電容量式センサにおいて、前記基準コンデンサが、両基板1、2の基板間距離変化の小さい部位に設けられた対向電極9、10によって形成されている。
請求項（抜粋）：
固定基板(1)と該固定基板に間隔をおいて対向配置された可動基板(2)とを備え、固定基板表面の電極(6)と可動基板表面の電極(10)とによって、両基板(1)(2)の対向方向に外力が付与されたときに容量変化を生じるZ軸外力検出用コンデンサ(11)が形成され、このZ軸外力検出用コンデンサ(11)と基準コンデンサとの容量差に基いて、両基板(1)(2)の対向方向に付与される外力を検出するものとなされた静電容量式センサにおいて、前記基準コンデンサが、両基板(1)(2)の基板間距離変化の小さい部位に設けられた対向電極(9)(10)によって形成されていることを特徴とする静電容量式センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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