特許
J-GLOBAL ID：200903081290271784
イオンビーム微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238972
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051488
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 GaAsを含むGaxIn1-xAsyP1-y層表面に、自然に形成されているAs2O3、As2O、Ga2O等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、GaxIn1-xAsyP1-y層表面に、量子デバイスに用いられる微細な回路パターンを形成するイオンビーム微細加工方法を提供する。【解決手段】 単体のGaAs及びInP基板を含む、GaxIn1-xAsyP1-y(0≦x、y≦1)層表面に、任意のイオンビーム径、イオン電流密度に制御したGaイオンを注入し、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面に形成されている表面酸化膜の存在又は酸素分子照射のもとでのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGa2O3又はGa2Oに置換又は生成させた後、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ga2O3又はGa2Oに置換した部分以外の前記表面酸化膜並びにGaxIn1-xAsyP1-y層を除去する。
請求項（抜粋）：
単体のGaAs及びInP基板を含む、GaxIn1-xAsyP1-y(0≦x、y≦1)層表面に、任意のイオンビーム径、イオン電流密度に制御したGaイオンを注入し、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面に形成されている表面酸化膜の存在又は酸素分子照射のもとでのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGa2O3又はGa2Oに置換又は生成させた後、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ga2O3又はGa2Oに置換した部分以外の前記表面酸化膜及びGaxIn1-xAsyP1-y基板を除去するネガ型リソグラフィを可能にするイオンビーム微細加工方法。
Fターム (8件)：
5F004BA17
, 5F004DA00
, 5F004DB19
, 5F004DB21
, 5F004EA04
, 5F004EA39
, 5F004EB08
, 5F004FA02
