特許

J-GLOBAL ID：200903081290582194

半導体装置の製造方法

発明者： 米持 和人 ,  米持 雅弘
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314738
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150702
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 外部接続端子が高密度に配置でき多ピンで信頼性の高い半導体装置を容易に製造する。【解決手段】 金属基材40の一方の面に凹部52を形成する工程と、該凹部の内面に、前記金属基材を溶解するエッチング液では溶解されない金属からなる金属膜46を形成する工程と、前記凹部52の底面に形成した金属膜46の一部領域が、前記金属基材の一方の面と略同一平面となるよう、金属基材40の他方の面側から前記金属膜の一部領域に対応する領域を突き上げ加工して、凹部52の底面から金属基材の表面に延在した金属膜の延在部分をボンディング部42aに形成する加工工程と、該ボンディング部42aを形成した金属基材の一方の面に半導体素子を搭載する工程と、該半導体素子の電極と前記ボンディング部とをワイヤボンディングする工程と、前記半導体素子、ボンディングワイヤおよび前記金属膜を含む前記金属基材の一方の面側を樹脂封止する工程と、エッチング加工により前記金属基材を溶解除去し、前記凹部の内面に形成した金属膜を露出する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属基材の一方の面に凹部を形成する工程と、該凹部の内面に、前記金属基材を溶解するエッチング液では溶解されない金属からなる金属膜を形成する工程と、前記凹部の底面に形成した金属膜の一部領域が、前記金属基材の一方の面と略同一平面となるよう、金属基材の他方の面側から前記金属膜の一部領域に対応する領域を突き上げ加工して、凹部の底面から金属基材の表面に延在した金属膜の延在部分をボンディング部に形成する工程と、該ボンディング部を形成した金属基材の一方の面に半導体素子を搭載する工程と、該半導体素子の電極と前記ボンディング部とをワイヤボンディングする工程と、前記半導体素子、ボンディングワイヤおよび前記金属膜を含む前記金属基材の一方の面側を樹脂封止する工程と、エッチング加工により前記金属基材を溶解除去し、前記凹部の内面に形成した金属膜を露出する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/28 J ,  H01L 23/12 W

Fターム (7件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA10 ,  4M109DB16 ,  4M109FA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-267607   出願人：富士通株式会社