特許

J-GLOBAL ID：200903081292753433

チャンバレスレーザCVD装置

発明者： 森重 幸雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-280152
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造や、液晶ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠陥修正装置や、液晶基板の配線修正に用いられるレーザCVD装置を提供する。【解決手段】 ガス導入部10が、基板8上のレーザ光照射部13の近傍を覆うように設けられ、レーザ光照射に向けて原料ガスを吹き出すノズル9と、基板8に向かい合う面に、レーザ光照射部13を中心とする同心円上に設けられたパージガス吸い込み口6と、パージガス吸い込みロ6の外側に設けられたパージガス吹き出しロ7とを有し、パージガス吹き出し口7とパージガス吸い込み口6とが、窓4の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面内に薄い窓パージガス流を形成するように、垂直な面内に対向して設ける。

請求項（抜粋）：

レーザ光源と、X-Yステージ上に配置した基板上の所望の位置にレーザ光を照射するための照射観察ユニットと、基板上のレーザ光照射部にCVD原料ガスを供給するガス供給ユニットと、前記ガス供給ユニットからガスを導入するガス導入部と、前記レーザ光を導入する窓とを備えたチャンバレスレーザCVD装置において、前記ガス導入部が、前記基板上の前記レーザ光照射部の近傍を覆うように設けられ、レーザ光照射に向けて前記原料ガスを吹き出すノズルと、前記基板に向かい合う面に、前記レーザ光照射部を中心とする同心円上に設けられたパージガス吸い込み口と、前記吸い込みロの外側に設けられたパージガス吹き出しロとを有し、前記パージガス吹き出し口とパージガス吸い込み口とが、前記窓の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面内に薄い窓パージガス流を形成するように、前記垂直な面内に対向して設けられたことを特徴とするチャンバレスレーザCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/48 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/48 ,  G03F 1/08 T ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平1-502149
  
• 特公平2-004388
  
• 特公平5-058071