特許
J-GLOBAL ID：200903081303421080
誘電体薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179920
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029462
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 高誘電率の薄膜の形成方法に関し、形成した誘電体膜の膜厚が薄い場合でもより高い誘電率を実現できる方法を提供する。【構成】 単一の誘電体結晶の成長と成長の中断とを所定回数繰り返して所定の膜厚の薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
単一の誘電体結晶の成長と成長の中断とを所定回数繰り返して所定の膜厚の薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
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