特許
J-GLOBAL ID：200903081308563338
液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145656
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325365
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】レジスト膜の現像と残留レジストの剥離、および金属薄膜や半導体薄膜あるいは絶縁耐薄膜の加工を完全ドライプロセスで行う。【解決手段】液晶表示素子を構成するための金属膜、誘電体絶縁膜、半導体膜の薄膜、ないしは前記薄膜の一部がパターン状に形成された多層膜200 を成膜したガラス基板上100 に高分子材料から構成したレジスト膜300 を塗布し、所定の開口パターンを有する露光マスク400 を介してエキシマレーザー光を照射し、照射部分のレジスト膜をアブレーション現象により除去して露出したレジスト膜パターンを形成し、レジスト膜パターンで露出された部分にエッチッグ処理を施して除去した後、エキシマレーザー光で残留レジスト膜をアブレーション現象により除去する。
請求項（抜粋）：
液晶表示素子を構成するための金属膜、誘電体絶縁膜、半導体膜の薄膜、ないしは前記薄膜の一部がパターン状に形成された多層膜を成膜したガラス基板上に高分子材料から構成したレジスト膜を塗布し、所定の開口パターンを有するマスクを介してエキシマレーザーを照射して照射部分のレジスト膜をアブレーション現象により除去することで前記マスクの開口パターンに対応して前記薄膜を露出したレジスト膜パターンを形成し、前記レジスト膜パターンで露出された前記薄膜にエッチング処理を施して除去した後、エキシマレーザーを照射して残留レジスト膜をアブレーション現象により除去することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (7件)：
G02F 1/136 500
, G02B 5/20 101
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1335 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02B 5/20 101
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1335 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 627 C
