半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：寒川誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236235
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085390
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザの製造方法に関し、高抵抗埋め込み層のp型化を防止して漏れ電流阻止効果の改善された高出力半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】基板1上に少なくとも活性層3と所定の導電型の不純物を導入したクラッド層4とを積層形成し、これらを選択的にエッチングして基板1上にメサ状に残留し、このメサを囲んで基板1上に、深いアクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされた高抵抗層6を埋め込む工程を有し、高抵抗層6にドーピングする深いアクセプタ準位を形成する不純物のドーピング量を埋め込み初期において少なくするようにする。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に少なくとも活性層(3)と所定の導電型の不純物を導入したクラッド層(4)とを積層形成し、少なくとも該活性層(3)と該クラッド層(4)とを選択的にエッチングしてメサ状に残留し、該メサ状に残留する少なくとも活性層(3)とクラッド層(4)とを囲んで前記基板(1)上に、深いアクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされた高抵抗層(6)を埋め込む工程を有し、前記高抵抗層(6)にドーピングする深いアクセプタ準位を形成する不純物のドーピング量を埋め込み初期において少なくすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

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