特許
J-GLOBAL ID：200903081316299364
赤外線検知素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112614
公開番号（公開出願番号）：特開平7-318417
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、メンブレンの機械的強度を増して信頼性を向上させ、また熱分離性を良くして検知特性を向上させることを目的とする。【構成】 半導体基板1上に形成したポリシリコン層周辺部の環状領域にボロンをドープし環状領域以外をポリシリコン犠牲層3aとする工程、半導体基板1の表面からポリシリコン層上面にかけてメンブレン4を形成する工程、メンブレン4上に感温素子要素5を形成する工程、絶縁膜6,7及びメンブレン4を貫通するエッチング液注入用の開口部8を形成する工程、開口部8を介してエッチング液を注入しポリシリコン犠牲層3a及び半導体基板1の一部をエッチング除去して熱分離室2を形成する工程を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上にポリシリコン層を堆積して所要形状にパターニングする工程と、前記ポリシリコン層周辺部の環状領域に選択的にボロンをドープして当該環状領域以外の領域をポリシリコン犠牲層とする工程と、前記半導体基板の主表面から前記ポリシリコン層上面にかけて耐エッチング材料からなるメンブレンを形成する工程と、前記メンブレン上に受熱部が前記ポリシリコン犠牲層の上方に位置するように感温素子要素を形成する工程と、前記感温素子要素及びメンブレン上に耐エッチング材料からなる絶縁膜を被覆形成する工程と、前記ポリシリコン犠牲層の所要領域上における前記絶縁膜及びメンブレンを貫通するエッチング液注入用の開口部を形成する工程と、前記感温素子要素における受熱部に対応した前記絶縁膜上の位置に赤外線吸収膜を形成する工程と、前記開口部を介してエッチング液を注入し前記ポリシリコン犠牲層及び前記半導体基板の一部をエッチング除去して熱分離室を形成する工程とを有することを特徴とする赤外線検知素子の製造方法。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, G01J 5/02
, H01L 35/32
