特許

J-GLOBAL ID：200903081327346755

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者： 西川 通則 ,  山田 欣司 ,  後藤 幸平
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118952
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309751
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも塗膜の表面硬度、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)一般式R1 a Si(OR2 )4-a (R1 およびR2 は同一でも異なっていてもよく、1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。)で表される化合物の加水分解物および/または縮合物、ならびに(B)常圧での沸点が300°C以上であるシラン化合物、を含有する膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/または縮合物、R1 a Si(OR2 )4-a ・・・(1)(R1 およびR2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)ならびに(B)常圧での沸点が300°C以上であるシラン化合物、を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (3件)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 C

Fターム (21件)：

4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038DL121 ,  4J038DL122 ,  4J038JC32 ,  4J038NA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  5F058AA02 ,  5F058AA03 ,  5F058AA06 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02