特許
J-GLOBAL ID：200903081331224974
薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095126
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】複数のa-Sipin接合構造を積層したタンデムセルにおいて、i層の次のセル側にある層を光が通過する際の光吸収ロスを低減して変換効率を向上させる。【構成】i層の次のセル側にある層を、SiH4 、CO2 、H2 およびドーピング用ガスの混合ガスの分解によって生ずるアモルファスシリコンオキサイドで形成する。この際、酸素量を多くすると光吸収ロスが低下するが、多くなりすぎると光導電率が低下するためバルク抵抗が大きくなり、直列抵抗成分が増加してフィルファクタが低下するので、a-Si(1-x) Ox で表わしたときのxを0.2 未満に抑える。
請求項（抜粋）：
アモルファスシリコンを主材料としてpin接合構造を複数積層してなるものにおいて、光の入射する側から最も遠くにあるpin接合構造を除く各pin接合構造のi層の反光入射側にあるp層あるいはn層が、一般式a-Si(1-x) Ox で表わされ、xが0.2 未満であるアモルファスシリコンオキサイドからなることを特徴とする薄膜太陽電池。
引用特許：
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