特許
J-GLOBAL ID:200903081332823022

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-141708
公開番号(公開出願番号):特開2004-349300
出願日: 2003年05月20日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】半導体ペレットの表面に設けられた電極間や、電極と基板等を接続する際の配線の信頼性を向上した半導体装置を提供する【解決手段】表面に電極が形成された複数の半導体ペレット106,107と、第1主面上に、非導電層パターン112及び非導電層パターン112の間に形成された導電層113を有し、この第1主面が、前記電極と対向するよう前記電極上に設けられ、前記導電層113を介して、前記電極と接続された接続プレート111とを具備した半導体装置である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に電極が形成された1または複数の半導体ペレットと、 第1主面上に、非導電層パターン及び非導電層パターンの間に形成された導電層を有し、この第1主面が、前記電極と対向するよう前記電極上に設けられ、前記導電層を介して、前記電極と接続された接続プレートとを具備した半導体装置。
IPC (2件):
H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件):
H01L25/04 C

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