特許
J-GLOBAL ID：200903081334125390
半導体混晶層の製造方法、及び半導体デバイスと半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-190109
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009400
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体混晶層の製造方法、及び半導体デバイスと半導体発光素子において、グレ-ディット層の組成制御を高精度かつ安定した再現性をもって行うこと。【解決手段】 第1半導体層と該第1半導体層よりもバンドギャップの大きい第2半導体層とを複数層交互に組み合わせると共に第1半導体層の層厚を徐々に小さくすると同時に第2半導体層の層厚を徐々に大きくしてチャープ超格子構造体400を形成する工程と、前記チャープ超格子構造体にp型又はn型のドーパントを添加する工程と、前記ドーパントを添加する工程後に熱アニール処理を施して前記第1半導体層と前記第2半導体層とを構成する母体原子の相互拡散を促進させて超格子構造を無秩序化する工程とを備えた。
請求項（抜粋）：
第1半導体層と該第1半導体層よりもバンドギャップの大きい第2半導体層とを複数層交互に組み合わせると共に第1半導体層の層厚を徐々に小さくすると同時に第2半導体層の層厚を徐々に大きくしてチャープ超格子構造体を形成する工程と、前記チャープ超格子構造体にp型又はn型のドーパントを添加する工程と、前記ドーパントを添加する工程後に熱アニール処理を施して前記第1半導体層と前記第2半導体層とを構成する母体原子の相互拡散を促進させて超格子構造を無秩序化する工程とを備えたことを特徴とする半導体混晶層の製造方法。
Fターム (16件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA06
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA24
, 5F073DA35
, 5F073EA29
, 5F073FA13
