特許

J-GLOBAL ID：200903081335252050

半導体素子の製造方法

発明者： 松下 孟史 ,  水野 真一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292900
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118758
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 簡易な装置で、かつ、低コストで、軽量化され、フレキシブルな半導体素子、とくに、太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、多孔質層2を形成し、多孔質層上に、半導体層3、4、5を形成し、半導体層に支持基板11を接着した後、多孔質層の部分で、基板を剥離する半導体素子の製造方法であって、基板が剥離された半導体層3の表面に、シリカを含む溶液を塗布して、シリカ含有層13、54を形成し、シリカ含有層に紫外線を照射して、発生したオゾンによって、シリカ含有層中のシリカを酸化し、酸化シリコンよりなる保護膜13、54を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、多孔質層を形成し、前記多孔質層上に、少なくとも1つの半導体層を形成し、前記半導体層に支持基板を接着した後、前記多孔質層の部分で、前記基板を剥離する半導体素子の製造方法において、前記基板が剥離された前記半導体層の表面に、シリカを含む溶液を塗布して、シリカ含有層を形成し、前記シリカ含有層に紫外線を照射して、発生したオゾンによって、前記シリカ含有層中のシリカを酸化し、酸化シリコンよりなる保護膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 D ,  H01L 31/04 A

Fターム (5件)：

5F051AA02 ,  5F051CB29 ,  5F051EA18 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20