特許

J-GLOBAL ID：200903081337131749

化合物半導体結晶成長方法

発明者： 穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118065
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333831
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体結晶成長方法に関し、気相成長装置の反応管を汚染して次回からの結晶成長に悪影響を及ぼすことがなく、また、不純物の特異な拡散などを利用することもなく、容易にラテラルpn接合を形成できるようにする。【構成】 n-GaAs基板31に溝31Aを形成し、n-GaAs基板31上に厚さt<SB>n </SB>のn型半導体層32と厚さt<SB>p </SB>のp型半導体層33を交互に且つそれ等の厚さt<SB>n </SB>及び厚さt<SB>p </SB>をW<SB>n </SB>=(2ε<SB>s </SB>E<SB>g </SB>N<SB>p </SB>/(q(N<SB>n </SB><SP>2 </SP>+N<SB>n </SB>N<SB>p </SB>)))<SP>1/2</SP>W<SB>p </SB>=(2ε<SB>s </SB>E<SB>g </SB>N<SB>n </SB>/(q(N<SB>p </SB><SP>2 </SP>+N<SB>n </SB>N<SB>p </SB>)))<SP>1/2</SP>W=W<SB>n </SB>+W<SB>p </SB>(W:全空乏層幅、W<SB>n </SB>:n側に延びる空乏層幅、W<SB>p </SB>:p側に延びる空乏層幅)の式で決まる空乏層幅W<SB>n </SB>と空乏層幅W<SB>p </SB>から、t<SB>n </SB>>2W<SB>n</SB>且つt<SB>p </SB><2W<SB>p </SB>又はt<SB>p </SB>>2W<SB>p </SB>且つt<SB>n </SB><2W<SB>n </SB>となるよう積層する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板に斜面或いは溝からなる段差領域を形成することに依って段差形状化合物半導体基板とする工程と、次いで、前記段差形状化合物半導体基板上に厚さがt<SB>n </SB>であるn型化合物半導体層及び厚さがt<SB>p </SB>であるp型化合物半導体層を交互に且つそれ等の厚さt<SB>n </SB>及びt<SB>p </SB>がW<SB>n </SB>=(2ε<SB>s </SB>E<SB>g </SB>N<SB>p </SB>/(q(N<SB>n </SB><SP>2 </SP>+N<SB>n </SB>N<SB>p </SB>)))<SP>1/2 </SP>W<SB>p </SB>=(2ε<SB>s </SB>E<SB>g </SB>N<SB>n </SB>/(q(N<SB>p </SB><SP>2 </SP>+N<SB>n </SB>N<SB>p </SB>)))<SP>1/2 </SP>W=W<SB>n </SB>+W<SB>p </SB>W:全空乏層幅W<SB>n </SB>:n型化合物半導体層に延びる空乏層幅W<SB>p </SB>:p型化合物半導体層に延びる空乏層幅N<SB>n </SB>:n型化合物半導体層のキャリヤ濃度N<SB>p </SB>:p型化合物半導体層のキャリヤ濃度E<SB>g </SB>:エネルギ・バンド・ギャップq:電子電荷量ε<SB>s </SB>:比誘電率なる式で定められるn型化合物半導体層に延びる空乏層幅W<SB>n </SB>及びp型化合物半導体層に延びる空乏層幅W<SB>p </SB>を用いてt<SB>n </SB>>2W<SB>n </SB>且つt<SB>p </SB><2W<SB>p</SB>となるか、或いは、t<SB>p </SB>>2W<SB>p </SB>且つt<SB>n </SB><2W<SB>n</SB>となるよう選択して積層形成する工程とが含まれてなることを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。