特許

J-GLOBAL ID：200903081339230388

光誘導磁性積層膜,光センサー,光アクチュエータ,光磁気記録媒体及び光誘導磁性装置

発明者： 猪俣 浩一郎 ,  ロジヤ- ハイモア ,  柚須 圭一郎 ,  高橋 義則
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235418
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【構成】本発明の構成は、半導体層(1) を介して第1の磁性体層(2) と第2の磁性体層(3) とが積層された積層体(4) である。第2の磁性体層(3) の方が保磁力は高く、磁気スピンの反転が生じにくい。初期状態として第1の磁性体層(2),第2の磁性体層(3) ともに面垂直磁化膜とし、磁性体層間には磁気的な相互作用はないとする。また磁気スピンは上向きに揃っているものとする。ここで半導体層のバンドギャップに相当する光(hν)を照射すると第1の磁性体層(2) と第2の磁性体層間(3) に交換相互作用が励起され、反強磁性的結合が生じる。結果として第1の磁性体層(2) の磁気スピンは反転することになる。【効果】特定磁性体層の磁気スピンを光誘導磁性を用いて反転させることができ、光磁気記録媒体などの用途などに好適である。

請求項（抜粋）：

第1の磁性体層と;第1の磁性体層より保磁力の大きい第2の磁性体層と;前記第1の磁性体層と第2の磁性体層との間に介在する半導体層とを有する積層膜に対し、光照射により前記第1の磁性体層と第2の磁性体層との間の交換相互作用を誘起せしめ、第1の磁性体層の磁化方向を選択的に変化せしめることを特徴とする光誘導磁性積層膜。

IPC (5件)：

H01F 10/00 ,  G01J 1/02 ,  G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10 ,  H02N 11/00