特許

J-GLOBAL ID：200903081339932188

圧電素子およびその製造方法

発明者： 内田 真治 ,  深沢 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147041
公開番号（公開出願番号）：特開平8-336967
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】寸法,組成,密度が精度よく制御された圧電体層が細い円筒状基盤の任意の面に直接形成された圧電素子とその製造方法を提供する。【構成】圧電素子は中空の金属円筒1を基盤とし、その内周面,外周面,あるいは内外両面のいずれかに直接形成された圧電体層2および3を備える。また、その製造方法は中空の金属円筒1の主成分を一つの合成要素として高温高圧の水の存在下で行う水熱合成法により、核形成工程および結晶成長工程を経て圧電体層2および3を金属円筒の表面に直接形成する。

請求項（抜粋）：

中空の金属円筒と、この金属円筒を基盤としてその内周面,外周面,あるいは内外両面のいずれかに直接形成された圧電体層と、この圧電体層の表面に形成された電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。

IPC (7件)：

B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 35/49 ,  C30B 7/10 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (6件)：

B41J 3/04 103 A ,  C30B 7/10 ,  C04B 35/49 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-087355