MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121699
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】MIS型半導体装置に於て、絶縁膜の誘電率を変化させることにより不揮発性メモリーを構成する。【構成】MIS型トランジスタの形成工程に於て、そのゲート絶縁膜領域に窒素などのイオンを注入させることによってゲート絶縁膜の誘電率を選択的に変化させ、トランジスタのしきい値電圧を変化させることによって、不揮発性メモリーを構成する。【効果】従来のゲートチャネル領域の不純物量を制御してトランジスタのしきい値電圧を変化させる方法に比較して、トランジスターのソース、ドレイン間の耐圧が低下しないため、素子の微細化に適している。またTATの短縮を可能とし、製造工程も短縮できる。

請求項（抜粋）：

主にMIS型FETからなる集積化された半導体装置において少なくとも、MIS型FETのゲート絶縁膜の誘電率が選択的に異なっていることを特徴とするMIS型半導体装置。

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