炭化けい素半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141337
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008210
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】良質の結晶が得られる低キャリア濃度のSiC基板に低接触抵抗のオーム性接触をする電極を形成する。【構成】n形SiC結晶に窒素、p形SiC結晶にアルミニウムをイオン注入し、そのドーピング濃度がピークを示す深さまで表面を熱酸化したのち生じた酸化膜をエッチングで除去する。これにより高濃度ドープ層が露出するので、その表面に良好なオーム性接触電極が形成できる。

請求項（抜粋）：

一導電形の炭化けい素半導体基体の一面から同一導電形化するドーパントをイオン種としてイオン注入し、次いで前記一面の表面層を熱酸化し、生じた酸化層を除去したのち、露出した基体面に金属電極を被着してオーム性接触電極を形成する工程を有することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/161

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭64-033925
特開昭59-145539
特開昭56-067966

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審査官引用 (3件)

特開昭64-033925
特開昭59-145539
特開昭56-067966

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