特許

J-GLOBAL ID：200903081349159681

半導体製造装置及びそのプラズマクリーニング方法

発明者： 勝田 浩誠 ,  西本 章 ,  鷲谷 明宏 ,  松村 民雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166759
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ押さえの裏面に付着した反応生成物の堆積物を除去する。【構成】 プラズマ処理室3において、突起物7aを有する円盤状7bのプラズマクリーニング治具7を下部電極9上にのせ、ウェハ押さえ8により押さえて、この状態でプロセスガス供給孔2よりプロセスガスを流し、プラズマ処理を行うことにより半導体製造装置をクリーニングするようにした。

請求項（抜粋）：

ウェハを処理するためのウェハ処理室と,該ウェハ処理室内に設けられ、ウェハを載せるためのウェハステージと,該ウェハステージ上のウェハを押さえるウェハ押さえ部材と,上記ウェハステージの上に半導体ウェハに代えて載置される着脱自在なプラズマ処理治具とを備え、上記プラズマ処理治具をウェハステージ上に装着した状態でプラズマ処理を行って上記ウェハ処理室内をクリーニングする半導体製造装置において、上記プラズマ処理治具の上面周縁部に所定の間隔を置いて2個以上の突起物を形成してなることを特徴とする半導体製造装置。