特許
J-GLOBAL ID：200903081354025510
耐高熱性ネガ型レジスト及び耐高熱性レリーフ構造体の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-089649
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128846
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【構成】 オリゴマー及び/又はポリマーのポリベンズオキサゾール前駆体をベースとする価格的に好ましい耐高熱性ネガ型レジストは、これがビスアジドの形の光活性成分を含みまたポリベンズオキサゾール前駆体が次の構造式:【化1】[式中R、R′、R1、R1′及びR2は芳香族基であり、R3は芳香族基又はノルボルネン基であり、n1、n2及びn3に関しては次のものを表す:n1=1ー100、n2及びn3=0 又はn1及びn2=1ー100、n3=0 又はn2=1ー100、n1及びn3=0 又はn1、n2及びn3=1ー100(R≠R′及び/又はR1≠R1′)又はn1及びn3=1ー100、n2=0(R≠R′及び/又はR1≠R1′)、但しn1+n2+n3≧3である]のヒドロキシポリアミドである場合に、高い貯蔵安定性を有する。【効果】 この種のレジストに付随する貯蔵安定性に関する欠点を生じることのない価格的に有利な耐高熱性ネガ型レジストが得られる。
請求項（抜粋）：
オリゴマー及び/又はポリマーのポリベンズオキサゾール前駆体をベースとする耐高熱性ネガ型レジストにおいて、これらがビスアジドの形の光活性成分を含み、ポリベンズオキサゾール-前駆体が以下の構造式:【化1】[式中R、R′、R1、R1′及びR2は芳香族基であり、R3は芳香族基又はノルボルネン基であり、またn1、n2及びn3はn1=1ー100、n2及びn3=0 又はn1及びn2=1ー100、n3=0 又はn2=1ー100、n1及びn3=0 又はn1、n2及びn3=1ー100(R≠R′及び/又はR1≠R1′)又はn1及びn3=1ー100、n2=0(R≠R′及び/又はR1≠R1′)、但しn1+n2+n3≧3である]のヒドロキシポリアミドであることを特徴とする耐高熱性ネガ型レジスト。
IPC (6件)：
G03F 7/008
, C08G 73/22 NTR
, C08L 79/06 LQA
, G03F 7/038 504
, G03F 7/038 505
, H01L 21/027
