特許
J-GLOBAL ID:200903081362960679

半導体光集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小沢 信助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-292796
公開番号(公開出願番号):特開平6-138332
出願日: 1992年10月30日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 導波路型レンズと半導体レーザや半導体光増幅器などの半導体光素子を同一基板上に集積した半導体光集積回路を実現する。【構成】 導波路型レンズを含む光素子を集積した半導体光集積回路において、上下の半導体層と屈折率の異なるガイド層からなる半導体層構造であって、前記導波路型レンズはガイド層をエッチングすることにより形成したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
導波路型レンズを含む光素子を集積した半導体光集積回路において、上下の半導体層と屈折率の異なるガイド層からなる半導体層構造であって、前記導波路型レンズはガイド層をエッチングすることにより形成したことを特徴とする半導体光集積回路。
IPC (5件):
G02B 6/12 ,  G02F 1/015 505 ,  G02F 1/025 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18

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