特許
J-GLOBAL ID：200903081363810220
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124998
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ耐性、耐熱性、熱応答性、均熱性、絶縁寿命が良好であり、かつin-situチャンバークリーニングガスに対するセラミックスの耐腐食性が良好であり、また、半導体ウェハ基板裏面への堆積物の回り込みがなく、さらに静電チャックの吸・脱着が高速でできるプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 対向電極間に高周波電力を供給することにより、前記電極間にプラズマを発生させ、電極間上の被処理物を前記プラズマにより処理するように構成されたプラズマ処理装置において、対向する電極に被処理物を静電気によって固定するための吸着手段が設けられており、かつ電極自身に熱あるいは冷却可能な温度制御手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。吸着手段は、容器内に設けられた対向する電極内に埋設され、温度制御手段は、容器内に設けられた対向する電極内に埋設される。
請求項（抜粋）：
減圧可能な容器内に設けられた対向する電極間に高周波電力を供給することにより、前記電極間にプラズマを発生させ、前記電極間上の被処理物を前記プラズマにより処理するように構成されたプラズマ処理装置において、前記容器内に設けられた対向する電極に被処理物を静電気によって固定するための吸着手段が設けられており、かつ電極自身が加熱あるいは冷却可能な温度制御手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
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