特許

J-GLOBAL ID：200903081367741339

電子素子およびその製造方法

発明者： 福田 航一 ,  大場 知文 ,  窪田 傑 ,  宮崎 正徳 ,  北川 均 ,  笠間 泰彦 ,  岩崎 千里 ,  福井 洋文 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-076776
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 単層でも優れた特性を有する絶縁膜を用いた、TFTに代表される電子素子、およびこれを確実に製造する製造方法を提供する。【構成】 主成分である珪素:窒素の元素比が約3:4であり、希ガス元素の元素含有率が0.01〜3atm %である絶縁膜を電極間に有することを特徴とする電子素子である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を具備した電子素子において、前記絶縁膜は主成分が珪素および窒素であり、前記珪素:窒素の元素比は約3:4であり、前記絶縁膜は希ガス元素の含有率が元素含有率0.01〜3atm %であることを特徴とする電子素子。

IPC (4件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 29/78 311 G