特許
J-GLOBAL ID：200903081369489246

半導体装置

発明者：
小林 俊雅

小林 俊雅 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-341348
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156509
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とを有する窒化物系III-V族化合物半導体層を用いて半導体発光素子や電子走行素子を形成する場合に、その高欠陥密度領域の有効利用を図り、これらの素子全体の構造の最適化を図ることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 第1の平均欠陥密度を有する結晶からなる第1の領域3中に第1の平均欠陥密度より高い第2の平均欠陥密度を有する第2の領域2を有する窒化物系III-V族化合物半導体基板1上に素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層4、5、6が成長された半導体装置であって、第1の領域3を活性領域に用い、第2の領域2を電極配線領域または排熱構造領域に用いる。半導体装置は半導体レーザ、発光ダイオード、トランジスタなどである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の平均欠陥密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均欠陥密度より高い第2の平均欠陥密度を有する第2の領域を有する窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層が成長された半導体装置であって、 上記第1の領域を活性領域に用い、上記第2の領域を電極配線領域または排熱構造領域に用いる ことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (4件)：
5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA81 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (3件)

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