特許

J-GLOBAL ID：200903081372021271

試料のエッチング処理方法

発明者： 吉岡 健 ,  藤本 孝太郎 ,  佐藤 孝 ,  金清 任光 ,  金井 三郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立インダストリイズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276613
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083804
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト樹脂あるいはLow-k材料(SILK,FLARE等の炭素とSiを主成分とする低誘電率絶縁膜)のような炭素系樹脂のエッチングにおいて、非直進散乱イオンから側壁エッチングを十分に保護し、かつ溝あるいはホール底部の寸法細りを起こさないエッチング方法を提供すること。【解決手段】酸素およびBCl3 ガスとの混合ガスのプラズマによってエッチング処理する。あるいはエッチングを2つのステップに分け、第1のステップは、酸素のみを含み、BCl3 を含まないガスプラズマにてエッチングし、第2のステップは酸素および、BCl3 を含む混合ガスのプラズマによってエッチング処理する。

請求項（抜粋）：

炭素を主体とする樹脂の膜を、酸素およびBCl3 ガスとの混合ガスのプラズマによってエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (28件)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096HA12 ,  2H096HA14 ,  2H096HA15 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  5D033DA08 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB14 ,  5F004DB24 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F046MA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-019335
  
• 特開昭61-134024
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-251218   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平3-019335
  
• 特開昭61-134024
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-251218   出願人：セイコーエプソン株式会社