特許

J-GLOBAL ID：200903081375106758

半導体成長プロセス用ドーピングプロセス

発明者： ティエン-ヘン チウ ,  セザー オーガスト カーヴェロ デ メンドンカ ,  マイケル デー.ウィリアムズ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113380
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306635
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体成長プロセス用ドーピングプロセスを提供する。【解決手段】 制御されたドーピングプロフィルを有するドープされた半導体層の成長方法が、明らかにされており、その場合、偏析効果が半導体材料全体に、それが成長するとともに、ドーパント原子を配置させる。本方法は一定量のドーパント材料を、成長させる層の厚さに関連して、材料の成長前に、基板上に堆積させる。結晶成長プロセス中、偏析効果が半導体材料全体に、ドーパント材料を配置させる。材料成長温度が、成長させる材料層内のドーパント原子の移動に寄与する。

請求項（抜粋）：

基板(10)上に、ドーパント(30)を堆積させる工程;及び堆積工程に続き、前記ドーパント及び前記基板上に、半導体材料層(20)を成長させる工程を含むドープされた半導体層の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/22 P ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205