特許

J-GLOBAL ID：200903081377317802

磁場を用いたパターン形成方法および電子装置の製造方法

発明者： 上村 太一 ,  杉谷 雅夫 ,  熊倉 昌義 ,  木村 恒久
出願人/特許権者： 協立化学産業株式会社
代理人 (2件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-073145
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317930
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】 固化可能な流動性のある物質に磁場を印加することによって、各種の煩雑な工程を要せずに、所望の形状のパターンを形成することのできるパターン形成方法、及び、このパターン形成方法を用いた電子装置製造方法を提供することにある。【解決手段】 任意の流動性のある物質に磁場を印加することによって、流動性のある物質を移動させて所望の形状を形成した後、この流動性のある物質を固化させることによって所望の形状のパターン(固形物)を形成するパターン形成方法を提供する。磁化率の異なる2以上の物質を含む基板に磁場を印加して、基板中で磁化率の最も高い物質に磁力線を集中させて所望の磁束密度分布パターンを有する磁場を形成し、流動性のある物質にこの所望の磁束密度分布パターンを有する磁場を印加することができる。 また、これらのパターン形成方法を用いた電子装置製造方法を提供する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

磁場を流動性のある物質に印加することによって、前記流動性のある物質を移動させて所望の形状を形成した後、前記流動性のある物質を固化させることによって所望の形状のパターン(固形物)を形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H05K3/10 ,  H05K3/46

FI (2件)：

H05K3/10 D ,  H05K3/46 C

Fターム (24件)：

5E343AA02 ,  5E343AA17 ,  5E343BB16 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD64 ,  5E343EE60 ,  5E343ER60 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346CC09 ,  5E346CC37 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE32 ,  5E346GG06 ,  5E346HH26 ,  5E346HH32 ,  5E346HH33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068541   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気アルキメデス効果を利用する結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144888   出願人：科学技術振興事業団
• 磁場印加による材料の結晶方位制御方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149808   出願人：科学技術振興事業団
• 物質界面を変化させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069214   出願人：ティーディーケイ株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-270845   出願人：株式会社日立製作所