特許
J-GLOBAL ID:200903081385037720

注入物をもつ頂部放出型VCSEL

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-087758
公開番号(公開出願番号):特開平6-045694
出願日: 1993年03月24日
公開日(公表日): 1994年02月18日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 製造がより簡単な新規の改善された頂部放出型VCSELを提供し、より高い出力電力を生みだし、より高い効率性を有することを可能にする。【構成】 上部18および下部14のミラー積層部を有する中央能動層16を含むVCSELであり、1つのミラー積層部18内に円形のトレンチ20が形成されて、レーザ照射領域25を規定する。トレンチ20は、反射率を下げて、動作領域25の外側のレーザ照射を防ぎ、ミラー積層部14,18のいずれかの中にある深いベリリウム注入物27が、トレンチ20と共に電流の分布を制限して、電力出力と効率とを最大にする。ある実施例においては、透明金属接触60が頂部接触として用いられる。
請求項(抜粋):
能動層(16)のそれぞれの側に付着された第1(14)および第2(18)ミラー積層部を含む頂部放出型VCSELの作成方法であって:前記第2ミラー積層部(18)内に放出領域(25)を規定する段階;前記第2ミラー積層部(18)をエッチングして、前記放出領域(25)を囲むトレンチ(20)を形成し、前記トレンチ領域(20)と前記能動層(16)との間のレーザ(10)の非レーザ照射体積内でのレーザ照射を行うために必要な量より低く反射率を充分に下げるために前記トレンチ(20)の深さを延長する段階;および前記第1(14)および第2(18)ミラー積層部のいずれか一方の非レーザ照射体積内に不純物(27,57)を注入して、前記注入物が形成されている前記第1および第2積層部の1つとは異なる導電型を有する注入物体積(27,57)を形成して、前記放出領域に全体として軸方向に整合されたレーザ照射体積を規定するように前記注入体積(27,57)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

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