特許
J-GLOBAL ID：200903081386319877
樹脂封止型半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062071
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275767
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 薄型化・高集積化に際して短絡不良等の素子不良が生じることなく、製造工程が簡略で、しかも長期にわたって良好な信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 ボンディングワイヤ10を介して外部リード構成体に接続された半導体チップ5の少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート1,2を配置し、前記封止用樹脂シートを前記半導体チップに対して加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記ボンディングワイヤ10を介して前記外部リード構成体と前記半導体チップ5とを接続するワイヤボンディング工程の前または後に、ボンディングワイヤ10における半導体チップ5および外部リード構成体との接続部を除く領域を覆うように絶縁層11で被覆する。
請求項（抜粋）：
ボンディングワイヤを介して外部リード構成体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記封止用樹脂シートを前記半導体チップに対して加圧しながら硬化させて前記半導体チップの封止を行う封止工程を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記封止工程の前に、前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ及び外部リ-ド構成体との接続部を除く領域を絶縁被覆する工程を具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
