特許

J-GLOBAL ID：200903081392965136

積層バルントランス

発明者： 阿部 敏之
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 若田 勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033216
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】GHz以上の高周波にわたる広い帯域において良好な結合が得られる積層バルントランスを提供する。【解決手段】電磁結合される対をなすストリップライン4と5、6と7との間にポリビニルベンジルエーテル化合物を有する非磁性体層2a、2bを介在させる。対をなすストリップライン4、5または6、7と非磁性体層2aまたは2bでなる複合層の上下に、ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性粉末を分散させた磁性体層1a、1bまたは1c、1dを設ける。ポリビニルベンジルエーテル化合物は比誘電率が低いため、ストリップライン4と5、6と7間の容量結合が小さく、かつストリップライン間の磁束鎖交数が増大し、高周波特性が良好となる。

請求項（抜粋）：

電磁結合する対をなすλ/4ストリップラインを少なくとも2組以上持つ積層バルントランスであって、電磁結合される対をなすストリップライン間にポリビニルベンジルエーテル化合物を含む非磁性体層を介在させ、前記対をなすストリップラインと前記非磁性体層でなる複合層の上下に、ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性体粉末を分散させた磁性体層を設けたことを特徴とする積層バルントランス。

IPC (3件)：

H01F 19/06 ,  H01F 27/29 ,  H01F 17/00

FI (3件)：

H01F 19/06 ,  H01F 17/00 B ,  H01F 15/10 C

Fターム (11件)：

5E070AA16 ,  5E070AB03 ,  5E070AB10 ,  5E070BA12 ,  5E070BB03 ,  5E070CA20 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5E070CB17 ,  5E070CB20 ,  5E070EA01